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Coauteurs
- Shanyuan NiuNanjing UniversityAdresse e-mail validée de nju.edu.cn
- R. RAMESHUniversity of California, BerkeleyAdresse e-mail validée de berkeley.edu
- Boyang ZhaoUniversity of Southern CaliforniaAdresse e-mail validée de usc.edu
- Wolter SiemonsASMLAdresse e-mail validée de asml.com
- Huan ZhaoWigner Distinguished Staff Fellow, Oak Ridge National LaboratoryAdresse e-mail validée de ornl.gov
- Mikhail KatsElectrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-MadisonAdresse e-mail validée de wisc.edu
- Pim Bram RossenAdresse e-mail validée de berkeley.edu
- Han WangUniversity of Hong KongAdresse e-mail validée de hku.hk
- Rehan KapadiaAssociate Professor, University of Southern CaliforniaAdresse e-mail validée de usc.edu
- Ajay K. YadavApplied Materials, IncAdresse e-mail validée de amat.com
- Jiang-Bin WuInstitute of Semiconductors, Chinese Academy of SciencesAdresse e-mail validée de semi.ac.cn
- Yucheng ZhouUniversity of VirginiaAdresse e-mail validée de virginia.edu
- Patrick E. HopkinsUniversity of VirginiaAdresse e-mail validée de virginia.edu
- Rafael JaramilloAssociate Professor of Materials Science and Enginering, MITAdresse e-mail validée de mit.edu
- Matthew MecklenburgUniversity of California, Los AngelesAdresse e-mail validée de ucla.edu
- Debarghya SarkarResearch Scientist, IBM ResearchAdresse e-mail validée de mgh.harvard.edu
- Jad SalmanUniversity of Wisconsin - MadisonAdresse e-mail validée de wisc.edu
- Kevin YeMassachusetts Institute of TechnologyAdresse e-mail validée de mit.edu
- Rohan MishraWashington University in St. LouisAdresse e-mail validée de wustl.edu
- Joel E. MOOREProfessor of Physics, UC BerkeleyAdresse e-mail validée de berkeley.edu