Gilles Patriarche

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OugazzadenGeorgia Institute of TechnologyAdresse e-mail validée de georgiatech-metz.fr
Eric Le BourhisUniversity of PoitiersAdresse e-mail validée de univ-poitiers.fr
Guillaume Saint-GironsDirecteur de recherches CNRSAdresse e-mail validée de ec-lyon.fr
Konstantinos PantzasResearch Scientist, CNRS Center for Nanostructures and NanosciencesAdresse e-mail validée de c2n.upsaclay.fr
Suresh SundaramAssociate Professor, Georgia Tech EuropeAdresse e-mail validée de georgiatech-metz.fr
Jean Paul SalvestriniGeorgia Tech EuropeAdresse e-mail validée de georgiatech-metz.fr
Michel MortierCNRS / Chimie ParisTech (France)Adresse e-mail validée de chimie-paristech.fr
Maria TchernychevaResearcher at Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), CNRS, Universite Paris-SudAdresse e-mail validée de u-psud.fr
Nicolas ChauvinINLAdresse e-mail validée de insa-lyon.fr
Emmanuel LhuillierINSP CNRS - Sorbonne universitéAdresse e-mail validée de insp.upmc.fr
lianhe liUniversity of LeedsAdresse e-mail validée de leeds.ac.uk
Tarik MoudakirIngénieur ChercheurAdresse e-mail validée de georgiatech-metz.fr
Abdelkarim OuerghiC2N, Université Paris-SaclayAdresse e-mail validée de c2n.upsaclay.fr
Sandrine IthurriaESPCI Paris, PSLAdresse e-mail validée de espci.fr
Andrea FioreEindhoven University of TechnologyAdresse e-mail validée de tue.nl
Pere Roca i CabarrocasLPICM, CNRS, Ecole Polytechnique, and IPVFAdresse e-mail validée de polytechnique.edu
debora pierucciINSP CNRS - Sorbonne universitéAdresse e-mail validée de insp.upmc.fr
Bruno GrandidierIEMN-CNRS, dept. ISEN PhysicsAdresse e-mail validée de isen.fr
Laurent BacriUniversité d'Evry Val d'Essonne - LAMBE CNRS UMR 8587Adresse e-mail validée de univ-evry.fr
Adrien MichonResearcher at CRHEA - CNRSAdresse e-mail validée de crhea.cnrs.fr

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Gilles Patriarche

Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), CNRS, Université Paris Sud, Université Paris

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Why does wurtzite form in nanowires of III-V zinc blende semiconductors? F Glas, JC Harmand, G Patriarche Physical review letters 99 (14), 146101, 2007	954	2007
Core/shell colloidal semiconductor nanoplatelets B Mahler, B Nadal, C Bouet, G Patriarche, B Dubertret Journal of the American Chemical Society 134 (45), 18591-18598, 2012	458	2012
Analysis of vapor-liquid-solid mechanism in Au-assisted GaAs nanowire growth JC Harmand, G Patriarche, N Péré-Laperne, MN Merat-Combes, ... Applied Physics Letters 87 (20), 2005	363	2005
Band Alignment and Minigaps in Monolayer MoS₂-Graphene van der Waals Heterostructures D Pierucci, H Henck, J Avila, A Balan, CH Naylor, G Patriarche, YJ Dappe, ... Nano letters 16 (7), 4054-4061, 2016	359	2016
Efficient exciton concentrators built from colloidal core/crown CdSe/CdS semiconductor nanoplatelets MD Tessier, P Spinicelli, D Dupont, G Patriarche, S Ithurria, B Dubertret Nano letters 14 (1), 207-213, 2014	314	2014
Crystal phase quantum dots N Akopian, G Patriarche, L Liu, JC Harmand, V Zwiller Nano letters 10 (4), 1198-1201, 2010	312	2010
Predictive modeling of self-catalyzed III-V nanowire growth F Glas, MR Ramdani, G Patriarche, JC Harmand Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 88 (19), 195304, 2013	231	2013
From excitonic to photonic polariton condensate in a ZnO-based microcavity F Li, L Orosz, O Kamoun, S Bouchoule, C Brimont, P Disseix, T Guillet, ... Physical review letters 110 (19), 196406, 2013	231	2013
Ultra-low-threshold continuous-wave and pulsed lasing in tensile-strained GeSn alloys A Elbaz, D Buca, N von den Driesch, K Pantzas, G Patriarche, ... Nature Photonics 14 (6), 375-382, 2020	222	2020
Height dispersion control of InAs/InP quantum dots emitting at 1.55 μm C Paranthoen, N Bertru, O Dehaese, A Le Corre, S Loualiche, B Lambert, ... Applied Physics Letters 78 (12), 1751-1753, 2001	211	2001
Type-II CdSe/CdTe core/crown semiconductor nanoplatelets S Pedetti, S Ithurria, H Heuclin, G Patriarche, B Dubertret Journal of the American Chemical Society 136 (46), 16430-16438, 2014	209	2014
Infrared photodetection based on colloidal quantum-dot films with high mobility and optical absorption up to THz E Lhuillier, M Scarafagio, P Hease, B Nadal, H Aubin, XZ Xu, N Lequeux, ... Nano letters 16 (2), 1282-1286, 2016	198	2016
Au-assisted molecular beam epitaxy of InAs nanowires: Growth and theoretical analysis M Tchernycheva, L Travers, G Patriarche, F Glas, JC Harmand, GE Cirlin, ... Journal of Applied Physics 102 (9), 2007	190	2007
van der Waals epitaxy of GaSe/graphene heterostructure: electronic and interfacial properties Z Ben Aziza, H Henck, D Pierucci, MG Silly, E Lhuillier, G Patriarche, ... ACS nano 10 (10), 9679-9686, 2016	189	2016
Gradient CdSe/CdS quantum dots with room temperature biexciton unity quantum yield M Nasilowski, P Spinicelli, G Patriarche, B Dubertret Nano letters 15 (6), 3953-3958, 2015	183	2015
Arsenic pathways in self-catalyzed growth of GaAs nanowires MR Ramdani, JC Harmand, F Glas, G Patriarche, L Travers Crystal Growth & Design 13 (1), 91-96, 2013	179	2013
Growth and characterization of InP nanowires with InAsP insertions M Tchernycheva, GE Cirlin, G Patriarche, L Travers, V Zwiller, U Perinetti, ... Nano letters 7 (6), 1500-1504, 2007	179	2007
Atomic step flow on a nanofacet JC Harmand, G Patriarche, F Glas, F Panciera, I Florea, JL Maurice, ... Physical review letters 121 (16), 166101, 2018	177	2018
Sub-5 nm FIB direct patterning of nanodevices J Gierak, A Madouri, AL Biance, E Bourhis, G Patriarche, C Ulysse, ... Microelectronic engineering 84 (5-8), 779-783, 2007	176	2007
Growth of GaN free-standing nanowires by plasma-assisted molecular beam epitaxy: structural and optical characterization M Tchernycheva, C Sartel, G Cirlin, L Travers, G Patriarche, JC Harmand, ... Nanotechnology 18 (38), 385306, 2007	167	2007

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