Georges Landa

Citée par

	Toutes	Depuis 2019
Citations	1447	289
indice h	21	9
indice i10	41	8

198519861987198819891990199119921993199419951996199719981999200020012002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023202412 14 16 15 20 20 37 26 31 27 32 31 40 23 20 36 26 43 35 33 22 29 39 43 35 29 38 59 32 71 50 55 54 40 42 45 54 60 51 35

Accès public

Tout afficher

2 articles

0 article

disponibles

non disponibles

Sur la base des exigences liées au financement

Coauteurs

alain esteveDirecteur de recherche CNRS, LAAS (NEO), Université de ToulouseAdresse e-mail validée de laas.fr
Anne HémeryckLAAS-CNRSAdresse e-mail validée de laas.fr
Pascal PuechSenior Associate Professor, HDR, Toulouse III UniversityAdresse e-mail validée de cemes.fr
Marie BrutLAAS-CNRSAdresse e-mail validée de laas.fr
Paulo Sérgio PizaniUniversidade Federal de São Carlos, Departamento de FísicaAdresse e-mail validée de df.ufscar.br
Wolfgang BacsaUniversity of ToulouseAdresse e-mail validée de cemes.fr
E. FlahautDirecteur de recherche CNRS ; CIRIMAT ; Université Paul Sabatier Toulouse 3Adresse e-mail validée de univ-tlse3.fr
Chaudret BrunoDirecteur de Recherche CNRS, LPCNO Université de Toulouse INSA-CNRS-UPSAdresse e-mail validée de insa-toulouse.fr
Philippe MeniniProfessor, Electronics and Microsystems, CNRS-LAAS, University of Toulouse IIIAdresse e-mail validée de laas.fr
David J DunstanProfessor of Experimental Physics, Queen Mary University of LondonAdresse e-mail validée de qmul.ac.uk
REVATHI BACSARR BACSA SCIENTIFICAdresse e-mail validée de rrbacsa-scientific.fr
Christophe LaurentProfesseur de Chimie des Matériaux, CIRIMAT, Université de ToulouseAdresse e-mail validée de chimie.ups-tlse.fr
Pascal PochetUniv. Grenoble AlpesAdresse e-mail validée de cea.fr
Andrei SapelkinQueen Mary University of LondonAdresse e-mail validée de qmul.ac.uk
Mathilde GuiltatPhD student, LAAS-CNRSAdresse e-mail validée de laas.fr
Sabah FETAHLaboratory of Material and Renewable Energy, Faculty of sciences. University of M'sila. AlgeriaAdresse e-mail validée de univ-msila.dz
Arun UpadhyayProcter & GambleAdresse e-mail validée de pg.com
Francis MauryToulouse universityAdresse e-mail validée de ensiacet.fr
Dr. Ana TrapaidzeTbilisi State Medical UniversityAdresse e-mail validée de sciencelib.ge
Aurélien Bancaudchercheur CNRS, Université de ToulouseAdresse e-mail validée de laas.fr

Suivre

Georges Landa

Directeur de Recherches CNRS

Adresse e-mail validée de laas.fr - Page d'accueil

Modélisation et simulation à l'échelle atomique


Titre Trier par citations Trier par année Trier par titre	Citée par Citée par	Année
Optical-phonon behavior in Ga 1-x In x As: The role of microscopic strains and ionic plasmon coupling J Groenen, R Carles, G Landa, C Guerret-Piécourt, C Fontaine, M Gendry Physical Review B 58 (16), 10452, 1998	144	1998
Raman study of longitudinal optical phonon‐plasmon coupling and disorder effects in heavily Be‐doped GaAs A Mlayah, R Carles, G Landa, E Bedel, A Muñoz‐Yagüe Journal of applied physics 69 (7), 4064-4070, 1991	89	1991
Optical determination of strains in heterostructures: GaAs/Si as an example G Landa, R Carles, C Fontaine, E Bedel, A Muñoz‐Yagüe Journal of applied physics 66 (1), 196-200, 1989	83	1989
Optical determination of strains in heterostructures: GaAs/Si as an example G Landa, R Carles, C Fontaine, E Bedel, A Muñoz‐Yagüe Journal of Applied Physics 66 (1), 196-200, 1989	83	1989
Raman investigation of the InP lattice dynamics E Bedel, G Landa, R Carles, JP Redoules, JB Renucci Journal of Physics C: Solid State Physics 19 (10), 1471, 1986	78	1986
RAMAN INVESTIGATION OF THE INP LATTICE-DYNAMICS E Bedel-Pereira, G Landa, R Carles, J Redoules, J Renucci	78*	1986
Tensile and compressive strain relief in InxGa1− xAs epilayers grown on InP probed by Raman scattering J Groenen, G Landa, R Carles, PS Pizani, M Gendry Journal of applied physics 82 (2), 803-809, 1997	72	1997
A computational chemist approach to gas sensors: Modeling the response of SnO2 to CO, O2, and H2O Gases JM Ducéré, A Hemeryck, A Estève, MD Rouhani, G Landa, P Ménini, ... Journal of computational chemistry 33 (3), 247-258, 2012	64	2012
Nanoscale pressure effects in individual double-wall carbon nanotubes P Puech, E Flahaut, A Sapelkin, H Hubel, DJ Dunstan, G Landa, ... Physical Review B 73 (23), 233408, 2006	51	2006
Spectroscopic detection of carbon nanotube interaction with amphiphilic molecules in epoxy resin composites A Bassil, P Puech, G Landa, W Bacsa, S Barrau, P Demont, C Lacabanne, ... Journal of Applied Physics 97 (3), 2005	45	2005
Characterization of implantation and annealing of Zn‐implanted InP by Raman spectrometry E Bedel, G Landa, R Carles, JB Renucci, JM Roquais, PN Favennec Journal of applied physics 60 (6), 1980-1984, 1986	42	1986
CHARACTERIZATION OF IMPLANTATION AND ANNEALING OF ZN-IMPLANTED INP BY RAMAN-SPECTROMETRY E Bedel-Pereira, G Landa, R Carles, J Renucci, J Roquais, P Favennec	42*	1986
Finding reaction pathways and transition states: r-ARTn and d-ARTn as an efficient and versatile alternative to string approaches A Jay, C Huet, N Salles, M Gunde, L Martin-Samos, N Richard, G Landa, ... Journal of Chemical Theory and Computation 16 (10), 6726-6734, 2020	37	2020
Raman determination of the composition in semiconductor ternary solid solutions N Saint‐Cricq, G Landa, JB Renucci, I Hardy, A Muñoz‐Yague Journal of applied physics 61 (3), 1206-1208, 1987	37	1987
Insights into crystalline preorganization of gas-phase precursors: densification mechanisms S Olivier, JM Ducéré, C Mastail, G Landa, A Estève, MD Rouhani Chemistry of Materials 20 (4), 1555-1560, 2008	33	2008
GaSb/GaAs heteroepitaxy characterized as a stress-free system C Raisin, A Rocher, G Landa, R Carles, L Lassabatere Applied Surface Science 50 (1-4), 434-439, 1991	32	1991
Dynamical properties of Ga 1− x In x As solid solutions: Influence of local distortion effects G Landa, R Carles, JB Renucci Solid state communications 86 (6), 351-355, 1993	30	1993
Strain effects on optical phonons in< 111> GaAs layers analyzed by Raman scattering P Puech, G Landa, R Carles, C Fontaine Journal of applied physics 82 (9), 4493-4499, 1997	28	1997
Raman study under resonant conditions of defects near the interface in a GaAs/Si heterostructure A Mlayah, R Carles, G Landa, E Bedel, C Fontaine, A Muñoz‐Yagüe Journal of applied physics 68 (9), 4777-4781, 1990	27	1990
Raman characterization of twinning in heteroepitaxial semiconductor layers: GaAs/(Ca, Sr) F2 G Landa, R Carles, JB Renucci, C Fontaine, E Bedel, A Munoz‐Yague Journal of applied physics 60 (3), 1025-1031, 1986	26	1986

Le système ne peut pas réaliser cette opération maintenant. Veuillez réessayer plus tard.

Articles 1–20

Nombre de citations par an

Citations en double

Citations fusionnées

Ajouter les coauteursCoauteurs

Suivre

Citée par

Coauteurs