‪Alireza Aghanejad Ahmadchally‬ - ‪Google Scholar‬

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Coauteurs

Morteza GholipourBabol Noshirvani University of TechnologyAdresse e-mail validée de nit.ac.ir
armin gooranBabol Noshirvani University of TechnologyAdresse e-mail validée de nit.ac.ir
Samaneh Soleimani-AmiriBabol Noshirvani University of TechnologyAdresse e-mail validée de nit.ac.ir
Ehsan Gholinataj-JelodarBabol Noshirvani University of Technology (BNUT)Adresse e-mail validée de stu.nit.ac.ir

Alireza Aghanejad Ahmadchally

Alireza Aghanejad Ahmadchally

Boston University

Adresse e-mail validée de bu.edu

Semiconductor Devices Modeling and Simulation


Titre Trier par citations Trier par année Trier par titre	Citée par Citée par	Année
Design of a low-power short-channel electrostatically doped silicene nanoribbon FET A Gooran-Shoorakchaly, AA Ahmadchally, S Soleimani-Amiri, ... IEEE Transactions on Electron Devices 68 (4), 1956-1961, 2021	12	2021
Investigation of 6-armchair graphene nanoribbon tunnel FETs A Aghanejad Ahmadchally, M Gholipour Journal of Computational Electronics 20 (3), 1114-1124, 2021	4	2021
Semi-analytical SPICE-compatible ballistic I–V model for 5 nm channel MoS2 FETs E Gholinataj-Jelodar, A Aghanejad Ahmadchally, A Gooran-Shoorakchaly, ... Journal of Computational Electronics 21 (5), 1108-1115, 2022	2	2022

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