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- Dmitry IrzhakInstitute of Microelectronics Technology and High Purity Materials RASAdresse e-mail validée de iptm.ru
- Oleg KononenkoInstitute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, RASAdresse e-mail validée de iptm.ru
- Sergey SakharovОАО "ФОМОС-Материалс"Adresse e-mail validée de newpiezo.com
- Z* InsepovKazakh National Technical UniversityAdresse e-mail validée de purdue.edu
- BoulangerUniversité Grenoble AlpesAdresse e-mail validée de neel.cnrs.fr
- Patricia SegondsInstitut Néel CNRS Université Joseph Fourier GrenobleAdresse e-mail validée de grenoble.cnrs.fr
- Maxim GrigorievScientist, Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials RASAdresse e-mail validée de iptm.ru
- Vasily PunegovКоми научный центр УрО РАНAdresse e-mail validée de dm.komisc.ru
- Lyudmila KokhanchikInstitute of Microelectronics Technology and High Purity Materials RASAdresse e-mail validée de iptm.ru
- Vito MocellaCNR ISASIAdresse e-mail validée de na.isasi.cnr.it
- David FieldProfessor, School of Mechanical and Materials Engineering, Washington State UniversityAdresse e-mail validée de wsu.edu
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Dmitry Roshchupkin
Institute of microelectronics technology and high-purity matarials Russian academy of sciences
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