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Coauteurs
- Fangyuan YangVienna University of Technology (TU Wien)Adresse e-mail validée de tuwien.ac.at
- xuedong OuFudan UniversityAdresse e-mail validée de fudan.edu.cn
- Guorui ChenShanghai Jiao Tong UniversityAdresse e-mail validée de sjtu.edu.cn
- Vy TranWashington UniversityAdresse e-mail validée de go.wustl.edu
- Wen-Kai LouInstitute of Semiconductors,Chinese Academy of SciencesAdresse e-mail validée de semi.ac.cn
- Ruixiang FeiBeijing Institute of Technology, Washington University, University of PennsylvaniaAdresse e-mail validée de bit.edu.cn
- Zhiwen ShiProfessor of Physics, Shanghai Jiao Tong UniversityAdresse e-mail validée de sjtu.edu.cn
- Felipe H. da JornadaDepartment of Materials Science and Engineering, Stanford UniversityAdresse e-mail validée de stanford.edu
- Steven G. LouieProfessor of Physics, University of California at BerkeleyAdresse e-mail validée de berkeley.edu
- Diana Y. QiuYale UniversityAdresse e-mail validée de yale.edu
- Li YangProfessor of Physics, Washington University in St LouisAdresse e-mail validée de wustl.edu
- Hongliang ZhangProfessor of Physics, Fudan UniversityAdresse e-mail validée de fudan.edu.cn
- Jonghwan KimAssistant Professor, Department of MSE, POSTECH, Korea