Jean Decobert

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Nicolas VaissiereIII-V Lab/Nokia Bell LabsAdresse e-mail validée de 3-5lab.fr
Jean-Christophe HarmandAdresse e-mail validée de c2n.upsaclay.fr
Nicolas DupuisResearch Staff Member, IBM T. J. Watson Research CenterAdresse e-mail validée de us.ibm.com
Guang-Hua DUAN3SP TechnologiesAdresse e-mail validée de 3spgroup.com
Massoubre DavidMeta - Reality LabsAdresse e-mail validée de meta.com
Romain CariouCEAAdresse e-mail validée de cea.fr
Pierre-Yves LagréeCNRSAdresse e-mail validée de upmc.fr
Gwenaelle HamonUniversité de Sherbrooke - 3IT - LN2Adresse e-mail validée de usherbrooke.ca
Joe CampbellProfessor Electrical and Computer Engineering, University of VirginiaAdresse e-mail validée de virginia.edu
OugazzadenGeorgia Institute of TechnologyAdresse e-mail validée de georgiatech-metz.fr
francois lelargeAdresse e-mail validée de almae-technologies.com
Abderrahim RAMDANEDirecteur de Recherche, CNRS Centre de Nanosciences et NanotechnologiesAdresse e-mail validée de c2n.upsaclay.fr
Gilles PatriarcheCentre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), CNRS, Université Paris Sud, Université ParisAdresse e-mail validée de c2n.upsaclay.fr
Louis GiraudetUniversité de Reims Champagne ArdenneAdresse e-mail validée de univ-reims.fr
Hassan MaherSherbrooke universityAdresse e-mail validée de usherbrooke.ca
Didier ErasmeProfesseur, TELECOM ParisAdresse e-mail validée de telecom-paristech.fr
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Titre Trier par citations Trier par année Trier par titre	Citée par Citée par	Année
MEMS for photonic integrated circuits C Errando-Herranz, AY Takabayashi, P Edinger, H Sattari, KB Gylfason, ... IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 26 (2), 1-16, 2019	291	2019
Recent advances in avalanche photodiodes JC Campbell, S Demiguel, F Ma, A Beck, X Guo, S Wang, X Zheng, X Li, ... IEEE Journal of selected topics in quantum electronics 10 (4), 777-787, 2004	251	2004
Transverse magnetic mode nonreciprocal propagation in an amplifying AlGaInAs∕ InP optical waveguide isolator W Van Parys, B Moeyersoon, D Van Thourhout, R Baets, ... Applied Physics Letters 88 (7), 2006	116	2006
High Gain Bandwidth Product Over 140-GHz Planar Junction AlInAs Avalanche Photodiodes A Rouvie, DÉ Carpentier, N Lagay, J Decobert, F Pommereau, ... IEEE Photonics Technology Letters 20 (6), 455-457, 2008	66	2008
Transmission electron microscopy study of the InP/InGaAs and InGaAs/InP heterointerfaces grown by metalorganic vapor-phase epitaxy J Decobert, G Patriarche Journal of Applied Physics 92 (10), 5749-5755, 2002	60	2002
Compact InP-based DFB-EAM enabling PAM-4 112 Gb/s transmission over 2 km MA Mestre, H Mardoyan, C Caillaud, R Rios-Müller, J Renaudier, ... Journal of Lightwave Technology 34 (7), 1572-1578, 2016	55	2016
Thermal optimization of 1.55 μm OP-VECSEL with hybrid metal–metamorphic mirror for single-mode high power operation JP Tourrenc, S Bouchoule, A Khadour, JC Harmand, A Miard, J Decobert, ... Optical and Quantum Electronics 40, 155-165, 2008	53	2008
Evanescently coupled photodiodes integrating a double-stage taper for 40-Gb/s applications-compared performance with side-illuminated photodiodes S Demiguel, L Giraudet, L Joulaud, J Decobert, F Blache, V Coupe, ... Journal of lightwave technology 20 (12), 2004, 2002	53	2002
New advances on heterogeneous integration of III–V on silicon GH Duan, S Olivier, S Malhouitre, A Accard, P Kaspar, G de Valicourt, ... Journal of Lightwave Technology 33 (5), 976-983, 2015	51	2015
SWIR InGaAs focal plane arrays in France A Rouvié, O Huet, S Hamard, JP Truffer, M Pozzi, J Decobert, E Costard, ... Infrared Technology and Applications XXXIX 8704, 12-20, 2013	48	2013
InGaAs focal plane array developments at III-V Lab A Rouvié, JL Reverchon, O Huet, A Djedidi, JA Robo, JP Truffer, T Bria, ... Infrared Technology and Applications XXXVIII 8353, 96-107, 2012	45	2012
Design, optimization, and fabrication of side-illuminated pin photodetectors with high responsivity and high alignment tolerance for 1.3-and 1.55-µm wavelength use V Magnin, L Giraudet, J Harari, J Decobert, P Pagnot, E Boucherez, ... Journal of Lightwave Technology 20 (3), 477, 2002	45	2002
Ultrafast response (∼ 2.2 ps) of ion-irradiated InGaAs photoconductive switch at 1.55 μm J Mangeney, L Joulaud, P Crozat, JM Lourtioz, J Decobert Applied physics letters 83 (26), 5551-5553, 2003	44	2003
Modeling and characterization of AlGaInAs and related materials using selective area growth by metal-organic vapor-phase epitaxy J Décobert, N Dupuis, PY Lagrée, N Lagay, A Ramdane, A Ougazzaden, ... Journal of crystal growth 298, 28-31, 2007	43	2007
240-GHz gain-bandwidth product back-side illuminated AlInAs avalanche photodiodes M Lahrichi, G Glastre, E Derouin, D Carpentier, N Lagay, J Decobert, ... IEEE Photonics Technology Letters 22 (18), 1373-1375, 2010	42	2010
Growth and characterization of type-II/type-I AlGaInAs/InP interfaces M Sacilotti, F Motisuke, Y Monteil, P Abraham, F Iikawa, C Montes, ... Journal of crystal growth 124 (1-4), 589-595, 1992	40	1992
MOVPE growth of AlGaInAs–InP highly tensile-strained MQWs for 1.3 μm low-threshold lasers J Decobert, N Lagay, C Cuisin, B Dagens, B Thedrez, F Laruelle Journal of crystal growth 272 (1-4), 543-548, 2004	39	2004
10Gbit/s amplified reflective electroabsorption modulator for colourless access networks A Garreau, J Decobert, C Kazmierski, MC Cuisin, JG Provost, H Sillard, ... 2006 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials …, 2006	38	2006
Low temperature plasma enhanced CVD epitaxial growth of silicon on GaAs: a new paradigm for III-V/Si integration R Cariou, W Chen, JL Maurice, J Yu, G Patriarche, O Mauguin, L Largeau, ... Scientific Reports 6 (1), 25674, 2016	37	2016
Hybrid III-V silicon photonic integrated circuits for optical communication applications GH Duan, S Olivier, C Jany, S Malhouitre, A Le Liepvre, A Shen, ... IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 22 (6), 379-389, 2016	36	2016

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